项目参数(Parameter) 符号(Symbol) 数值 单位(Unit) 较大功耗(Max Power Dissipation) PM 70 mW 较大正向电流(Max Continuous Forward Current) IFM 20 mA 晶片(CHIP) 较大反向电压(Max Reverse Voltage) VRM 5 V 材质 InGaN 较大脉冲峰值电流(Peak Forward Current) IFP 20 mA 顔色 红色 焊接温度/时间(Lead Soldering Temperature/Time) TSOL 240/≤3S ℃/S 胶体(Colloid) 工作环境(Operating Temperature Range) TOPR -25~+85 ℃ 材质 环氧树脂 储存温度(Storage Temperature Range) TSTR -30~+100 ℃ 顔色 透明 项目参数(Parameter) 符号 较小值 一般值 较大值Max. 单位 测试条件 Symbol Min. Typ. Unit Condition 发光强度(Luminous Intensity) Iv 1200 / 1800 mcd IF=20mA 发光角度(Viewing Angle) 2 1/2 / 30 / deg IF=20mA 峰值波长(Peak Wave Length) λp / / / nm IF=20mA 主波长(Dominant Wave Length) λd 620 / 625 nm IF=20mA 频宽(Spectral Width at half height) △λ / / / nm IF=20mA 正向电压(Forward Voltage) VF 2 / 2.4 V IF=20mA 反向电流(Reverse Current) IR / / ≤50 μA VR=5V